Как сообщают ученые, для широкого применения магнитных устройств, таких как магнитная память с произвольным доступом (MRAM), логическая память и нейроморфные вычислительные устройства, необходимы эффективные способы управления локальной намагниченностью. Одним из лучших механизмов является спин-орбитальный крутящий момент (SOT), связанный со спиновыми токами в материалах с сильной спин-орбитальной связью.
Однако сейчас применять в практике SOT-MRAM не получается из-за высокой плотности тока и сравнительно большого энергопотребления. Для оптимизации этой памяти необходимо создать новые материалы с SOT-эффектом. Этим и займется научный коллектив.
Руководитель проекта, директор ИНТиПМ ДВФУ Алексей Огнев: |
Отметим, что результаты исследования будут интегрированы в новые дисциплины в программах магистратуры «Прикладная физика» и «Вычислительная физика» Института наукоемких технологий и передовых материалов ДВФУ, а также представлены на ведущих международных конференциях, таких как EASTMAG, ICAUMS, InterMag.
Напомним, ученые ДВФУ активно разрабатывают магнитную память на принципах спин-орбитроники. Запись в такой памяти осуществляется спиновым током без приложения внешних магнитных полей, а информация хранится без потребления энергии. Разрабатываемая память пригодится в отраслях, где используются компьютеры для расчетов — от центров обработки данных до автономных автомобилей и инвазивной электроники. В дальнейшем это откроет новые возможности для реализации аппаратных систем искусственного интеллекта и квантового компьютера.
Пресс-служба ДВФУ,
press@dvfu.ru