Приборы

Сканирующий электронный микроскоп Carl Zeiss CrossBeam 1540 XB

Разрешающая способность:1.1 нм, ускоряющее напряжение 0,1-30kV

 

Детекторы и приставки:

·      Детекторы: SE и InLense SE, детектор STEM

·      Система фокусированного ионного пучка FIB

·      Система осаждения из газовой фазы – GIS

·      Детектор обратно рассеянных электронов (EBSD) HKL Channel 5 на базе камеры Nordlys II

·      Энергодисперсионный детектор Oxford Instruments X-MAX 80, разрешение по энергии 120-130 эВ

·      Масс-спектрометр вторичных ионов EQS 1000

·      Микроманипулятор Kleindiek Nanotechnik

 

Методы исследования:

·      Растровая электронная микроскопия высокого разрешения

·      Просвечивающая растровая электронная микроскопия

·      Ионная сканирующая микроскопия

·      Низкие ускоряющие напряжения (до 100В)

·      Энергодисперсионный рентгеновский микроанализ

·      Кристаллографический анализ

·      Масс-спектрометрия вторичных ионов

·      Подготовка поперечных сечений фокусированным ионным пучком

·      Анализ трехмерной структуры объектов с помощью FIB

·      Трехмерный анализ структуры и состава (3D EBSD, 3D EDX, SIMS)

·      Подготовка образцов для ПЭМ

 

Сканирующий электронный микроскоп Carl Zeiss ULTRA Plus

Разрешающая способность:1.0 нм, ускоряющее напряжение 0,1-30kV

 

Детекторы и приставки:

·      EsB с сеточным фильтром

·      AsB

·      In-lens SE

·      SE – детектор

·      Энергодисперсионный детектор Oxford Instruments X-MAX 80

·      STEM - детектор

 

Методы исследования:

·      Растровая электронная микроскопия сверхвысокого разрешения

·      Просвечивающая растровая электронная микроскопия

·      Низкие ускоряющие напряжения (до 100В)

·      Энергодисперсионный рентгеновский микроанализ

·      Исследование непроводящих материалов используя систему компенсации заряда

·      Фильтрация электронов по энергии

 

Сканирующий электронный микроскоп Carl Zeiss Evo 60

            Разрешающая способность: 3 нм – на вольфрамовом катоде, 2 нм на катоде LaB6

Ускоряющее напряжение 1-30kV

 

Детекторы и приставки:

·      SE детектор

·      BSE детектор

·      Рентгеновский энергодисперсионный микроанализ (EDX) – Oxford Instruments Energy 350

·      Рентгеновский волновой микроанализ (WDX) – Oxford Instruments Wave 500

·      Столики для образцов с возможностью нагрева до +500º С и охлаждения до -170ºС

 

Методы исследования:

·      Растровая электронная микроскопия

·      Энергодисперсионный рентгеновский микроанализ

·      Рентгеновский микроанализ с дисперсией по длине волны

·      Исследования структуры и состава при низком вакууме 10-750 Па (XVP)

·      Исследование динамики структуры и состава при нагреве и охлаждении

·      Исследования структуры и состава в среде водяного пара и естественных условиях 750-3000Па (EP)

·      Исследования непроводящих материалов

 

Области применения приборов Carl Zeiss CrossBeam 1540 XB, Carl Zeiss ULTRA Plus и Carl Zeiss Evo 60

 

  • Структура элементов устройств наноэлектроники
  • Элементный и фазовый состав объектов материаловедения
  • Трехмерная структура и состав микроэлектронных устройств, полупроводниковых структур, металлов, сплавов
  • Элементный и фазовый состав объектов материаловедения
  • Кристаллографический анализ объектов материаловедения
  • Структура биологических объектов
  • Динамика растворения и рекристаллизации фармакологических препаратов
  • Характеристика и анализ поверхности широкого спектра материалов:
    • Металлы, стали и сплавы
    • Порошки
    • Покрытия
    • Пленки
    • Диэлектрики и полупроводники
    • Керамика
    • Полимеры
    • Полимерные пленки
    • Минералы
    • Нефтяные породы

·      Начальные очаги разрушения металла при коррозии, эрозии, износе и других видах внешнего воздействия

·      Измерение линейных размеров микро- и нанообъектов.

·      Измерение пор и дефектов структуры,

·      Морфология и дисперсия частиц

·      Фрактографические исследования: изучения механизмов разрушения материалов и выявления причин поломки деталей и конструкций при эксплуатации.

·      Возможность исследования крупногабаритных образцов.

·      Исследование динамики структуры материалов в процессе нагрева и охлаждения.

·      Низкие ускоряющие напряжения позволяют визуализировать очень тонкие структуры поверхности, а так же тонкие пленки.

·      Характеристика элементного состава поверхности различных материалов

·      Исследования распределения компонентов и примесей в сталях и сплавах

·      Качественный и количественный химический анализ образцов (от Be до U )

·      Составление карт распределения элементов

·      Определения толщины различных покрытий на изделиях, а также исследования     диффузионных процессов, например, при химико-термической обработке, спекании порошковых материалов и т.д.

·      Выявление внутренней структуры объекта путем создания в нем поперечных срезов ионным пучком

·      Локальное травление объектов по глубине, с целью визуализации структуры или дефектов, послойное исследование объекта

·      Визуализация на поперечном сечении, сделанном FIB, многослойных металлических тонкопленочных покрытий

·      Получение чистых прецизионных срезов для возможности изучения границ раздела трудных для препарирования объектов, таких как тонкие слои металлов разной твердости или мягких и пористых материалов

·      Обеспечение препарирования объектов в заданной области для просвечивающего электронного микроскопа (ПЭМ) без необходимости полирования

·      Выявление кристаллографической ориентации кристаллитов за счет эффекта каналирования ионов с обеспечением более высокого контраста по сравнению с другими способами визуализации кристаллической структуры.

·      Модификация и изготовление изделий микро- и нанометровых размеров.

·      Формирование объектов и структур заданной формы, формирование наноструктур.

·      Микромаркировка.

 

Просвечивающий электронный микроскоп Carl Zeiss Libra 200 FE

 

Характеристики прибора:

 

  • Максимальное ускоряющее напряжение 200 кВ.
  • Диапазон увеличений: 8х – 1 000 000х.
  • Система фильтрации по энергии электронов.
  • Разрешение спектрометра (EELS): по энергии 0.7 эВ.
  • Разрешающая способность прибора 0.14 нм.

 

Детекторы и приставки:

·               Энергодисперсионный рентгеновский спектрометр (EDX)

·               Омега-фильтр, Дисперсия: 1.85   m/эВ @ 200 кВ, энергетическое разрешение: <0.7 эВ

·               HAADF/STEM

·               Держатель образцов GATAN Model 652, возможность нагрева до 1100º C

·               Держатель образцов GATAN Model 636, возможность охлаждения до -170º C

·               Двухосевой томографический держатель Fischione model 2040

 

Методы исследования:

  • Высокоразрешающая электронная микроскопия (HREM)
  • Просвечивающая электронная микроскопия (TEM)
  • Сканирующая просвечивающая электронная микроскопия (STEM)
  • ПЭМ с фильтрацией по энергиям (EFTEM)
  • Электронная дифракция (ED)
  • ED в сходящемся пучке (CBED)
  • Аналитическая электронная микроскопия (EELS, EDS)
  • Z-контраст
  • Наблюдение объекта в диапазоне температур от -170С до +1100С

 

Области применения прибора Carl Zeiss Libra 200 FE

 

  • Атомная структура материалов, устройств наноэлектроники
  • Характеризация кристаллической решетки и химической природы нанообъектов
  • Локальный анализ элементного состава
  • Поэлементное картирование структуры
  • Идентификация дефектов кристаллической решетки  полупроводниковых материалов
  • Тонкая структура биологических объектов
  • Исследование динамики структуры материалов в процессе нагрева и охлаждения.
  • Электронная томография
  • Исследования распределения наночастиц, дефектов структуры

 

 

Атомно-силовые микроскопы NTMDT, платформы NTEGRA Tomo и NTEGRA Prima

 

Методы исследования:

На воздухе:

  • Сканирующая туннельная микроскопия (СТМ)
  • Сканирующая туннельная спектроскопия (СТС)
  • Атомно-силовая микроскопия (АСМ) (контактная+"полуконтактная"+бесконтактная)
  • Латерально - Силовая Микроскопия (ЛСМ)
  • Отображение Фазы
  • Модуляция Силы
  • Отображение Сопротивления Растекания
  • Магнитно-Силовая микроскопия (МСМ)
  • Электростатическая Силовая Микроскопия (ЭСМ)
  • Сканирующая Емкостная Микроскопия (СЕМ)
  • Метод Зонда Кельвина (МЗК)
  • Отображение Сил Адгезии
  • АСМ Силовая Литография (наногравировка+наночеканка)
  • АСМ Токовая Литография (анодное оксидирование)
  • СТМ Литография
  • Акустическая АСМ (АСАМ)
  • Силовая Микроскопия Пьезоотклика

      В жидкости:

  • АСМ (контактная+"полуконтактная")
  • ЛСМ
  • Отображение Фазы
  • Модуляция Силы
  • Микроскопия Сил Адгезии
  • АСМ Литография

 

 

Области применения приборов Tomo и NTEGRA Prima

  • Биология и Биотехнология (протеины, ДНК, вирусы, бактерии, эукариоты, ткани)
  • Материаловедение (морфология поверхности, локальные механические, пьезоэлектрические, адгезионные и трибологические характеристики)
  • Магнитные Материалы (доменные структуры, магнитные частицы, магнитные пленки и многослойные структуры, устройства спинтроники, зависимость магнитных свойств от внешнего магнитного поля)
  • Полупроводники (морфология подложек, распределение примесей, гетерограницы и границы p-n переходов, межфазные границы, качество и толщины функциональных слоев)
  • Полимеры и тонкие органические пленки (сферулиты и дендриты, полимерные монокристаллы, блок-сополимеры, политмерные наночастицы, ЛБ-пленки, тонкие пленки)
  • Запоминающие среды и устройства (CD, DVD диски, накопителя терабитных ЗУ с термомеханической, электрической, емкостной и др. типами записи)
  • Наноматериалы (нанопорошки, нанокомпозиты, нанопористые материалы)
  • Наноструктуры (фуллерены, нанотрубки, нанокапсулы)
  • Наноэлектроника (квантовые точки)

 

Конфокальный лазерный сканирующий микроскоп LSM 510 DUO

 

Модуль LSM 510 META.многофункциональный лазерный сканирующий микроскоп для исследовательских задач, и работы с живыми биологическими объектами.

 

LSM 5 LIVE DuoScan. Уникальный ультрабыстрый лазерный сканирующий микроскоп с индивидуальным лазерным манипулятором (DuoScan) для регистрации быстродействующих процессов в режиме "живого" конфокального изображения

 

·      Лазеры с предустановленными, заранее отъюстированными световодами (Pigtail-coupled);

·      Диодный лазер (405 нм, CW/pulsed) 30 мВт

·      Диодный лазер (440 нм, CW+pulsed) 25 мВт

·      Ar-лазер (458, 488, 514 нм) 25 или 35 мВт

·      HeNe-лазер (543 нм) 1 мВт

·      HeNe-лазер (594 нм) 2 мВт

·      HeNe-лазер (633 нм) 5 мВт

·      Диодный лазер (488 нм) 100 мВт

·      Диодный лазер (635 нм) 35 мВт

·      Фемтосекундный лазер Coherent Chameleon, Диапазон перестойки 690 - 1040 нм, 3 Вт

 

Области применения

  • Биология
  • Вирусология
  • Медицина
  • Материаловедение
  • Криминалистика

·      Морфологические исследования при работе с фиксированными и живыми объектами

·      Микроскоп позволяет получить качественное информативное изображение фиксированных объектов, окрашенных флуоресцентными красителями

·      Восстановить трехмерную структуру объекта по сериям конфокальных оптических срезов

·      Позволяет наблюдать и документировать динамические процессы в живых системах.

 

 

 

Металлографический микроскоп Carl Zeiss Observer D1m

 

Оптический инвертированный универсальный металлографический микроскоп. Общее увеличение 12,5-3200х.

 

Методы исследования:

  • Светлое поле
  • Темное поле
  • Дифференциально-интерференционный контраст (ДИК)
  • Поляризация
  • Люминесценция.

 

 

Области применения

  • Материаловедческие задачи
  • Морфологический анализ поверхности
  • Фрактографические исследования
  • Характеристика и анализ поверхности широкого спектра материалов
  • Начальные очаги разрушения металла при коррозии, эрозии, износе и других видах внешнего воздействия
  • Измерение линейных размеров микро- объектов
  • Измерение пор и дефектов структуры

 

 

Комплекс подготовки образцов

 

Приборная база:

  • Алмазные пилы GATAN для секционирования образцов: вертикальная проволочная и циркулярная;
  • комплекс механической полировки: GATAN Dimple Grinder Model 656 и Tripod Polisher;
  • Система ионной полировки GATAN Precision Ion Polishing System (PIPS)
  • Quorum Technologies Sc7620 Mini Sputter Coater
  • GATAN Solarus Advanced Plasma Cleaning System
  • Gatan model 601 Ultrasonic Disc Cutter – ультразвуковой нож
  • Двухлучевой микроскоп Carl Zeiss Cross Beam 1540XB
  • Гидравлический пресс Buehler SimpliMet
  • Печь для сушки образцов

 

Методы подготовки образцов:

  • Классическая пробоподготовка для просвечивающей электронной микроскопии (ПЭМ)
  • Пробоподготовка особо тонких образцов для высокоразрешающей электронной микроскопии
  • Пробоподготовка поперечного сечения (cross-section)
  • Механическая пробоподготовка Tripod’ом
  • Ионное утонение
  • Подготовка образцов с помощью ультразвукового резака
  • Подготовка образцов с помощью системы фокусированного ионного пучка (FIB)
  • Прессование порошков
  • Напыление углерода и металлов на диэлектрические образцы для растровой электронной микроскопии
  • Чистка поверхности образца плазмой для уменьшения загрязнений