Конкурсы

Российский научный фонд проводит открытый публичный конкурс на получение грантов РНФ по выполнению ориентированных научных исследований в рамках стратегических инициатив Президента Российской Федерации в научно-технологической сфере по направлению «Микроэлектроника», в области производства полупроводниковых приборов, по мероприятиям: «Проведение ориентированных научных исследований в рамках стратегических инициатив Президента Российской Федерации в научно-технологической сфере» и «Проведение прикладных научных исследований в рамках стратегических инициатив Президента Российской Федерации в научно – технологической сфере».

Гранты выделяются на проведение ориентированных и прикладных научных исследований, в целях реализации стратегических инициатив Президента Российской Федерации в научно-технологической сфере в 2024-2026 годах.

Конкурс проводится по 8 лотам:

Лот № 1, тема: «Разработка технологического процесса производства быстродействующего кремниевого фотодиода для длин волн 1,31 мкм и 1,55 мкм».

Размер гранта по лоту № 1 составляет до 90 000,0 тыс. руб., в том числе:

• в 2024 году на первый этап выполнения проекта – до 30 000,0 тыс. руб.;
• в 2025 году на второй этап выполнения проекта – до 30 000,0 тыс. руб.;
• в 2026 году на третий этап выполнения проекта – до 30 000,0 тыс. руб.

Лот № 2, тема: «Разработка технологии лазерной резки полупроводниковых пластин «лазерный луч в струе воды» с применением отечественного оборудования».

Размер гранта по лоту № 2 составляет до 30 000,0 тыс. руб., в том числе:

• в 2024 году на первый этап выполнения проекта– до 10 000,0 тыс. руб.;
• в 2025 году на второй этап выполнения проекта – до 10 000,0 тыс. руб.;
• в 2026 году на третий этап выполнения проекта – до 10 000,0 тыс. руб.

Лот № 3, тема: «Разработка технологии резки були монокристалла карбида кремния методом лазерного параллельного термораскалывания».

Размер гранта по лоту № 3 составляет до 90 000,0 тыс. руб., в том числе:

• в 2024 году на первый этап выполнения проекта– до 30 000,0 тыс. руб.;
• в 2025 году на второй этап выполнения проекта – до 30 000,0 тыс. руб.;
• в 2026 году на третий этап выполнения проекта – до 30 000,0 тыс. руб.

Лот № 4, тема: «Разработка композиционного состава на основе прекурсора полиимида для формирования слоя защитного покрытия периферии кристаллов высоковольтных IGBT и FRD в составе кремниевых пластин».

Размер гранта по лоту № 4 составляет до 90 000,0 тыс. руб., в том числе:

• в 2024 году на первый этап выполнения проекта– до 30 000,0 тыс. руб.,
• в 2025 году на второй этап выполнения проекта – до 30 000,0 тыс. руб.,
• в 2026 году на третий этап выполнения проекта – до 30 000,0 тыс. руб.

Лот № 5, тема: «Разработка и внедрение модифицированных SPICEмоделей и программно-аппаратных средств для экстракции их параметров для компонентов ИС и полупроводниковых приборов гражданского и специального назначений».

Размер гранта по лоту № 5 составляет до 90 000,0 тыс. руб., в том числе:

• в 2024 году на первый этап выполнения проекта– до 30 000,0 тыс. руб.;
• в 2025 году на второй этап выполнения проекта – до 30 000,0 тыс. руб.;
• в 2026 году на третий этап выполнения проекта – до 30 000,0 тыс. руб.

Лот № 6, тема: «Разработка аппаратно-программного комплекса для определения параметров тиристоров при электрических переходных процессах включения при повышенной скорости нарастания тока в открытом состоянии».

Размер гранта по лоту № 6 составляет до 40 000,0 тыс. руб., в том числе:

• в 2024 году на первый этап выполнения проекта– до 10 000,0 тыс. руб.;
• в 2025 году на второй этап выполнения проекта – до 20 000,0 тыс. руб.;
• в 2026 году на третий этап выполнения проекта – до 10 000,0 тыс. руб.

Лот № 7, тема: «Разработка установки для измерения теплового сопротивления силовых полупроводниковых приборов таблеточной конструкции».

Размер гранта по лоту № 7 составляет до 40 000,0 тыс. руб., в том числе:

• в 2024 году на первый этап выполнения проекта– до 10 000,0 тыс. руб.;
• в 2025 году на второй этап выполнения проекта – до 20 000,0 тыс. руб.;
• в 2026 году на третий этап выполнения проекта – до 10 000,0 тыс. руб.

Лот № 8, тема: «Исследование процессов, влияющих на дефектность при лазерной резке полупроводниковых пластин».

Размер гранта по лоту № 8 составляет до 30 000,0 тыс. руб., в том числе:

• в 2024 году на первый этап выполнения проекта– до 10 000,0 тыс. руб.;
• в 2025 году на второй этап выполнения проекта – до 10 000,0 тыс. руб.;
• в 2026 году на третий этап выполнения проекта – до 10 000,0 тыс. руб.

Для реализации проектов, конкурсной документацией предусмотрено обязательное софинансирование, которое предоставляется организацией заказчиком технологического предложения, в объеме не менее – пяти процентов (5 %) от общего размера гранта.

Технические требования (исходные данные) к проектам указаны в Приложении № 1 к конкурсной документации.

Результатом предоставления грантов является обеспечение реализации проектов по созданию и разработке технологий для развития производства электронной компонентой базы, который оценивается по следующим параметрам:

• создание прототипов электронной компонентой базы (по итогам выполнения соответствующих научных, научно-технических проектов);
• разработка образцов изделий, материалов необходимых для производства электронной компонентой базы.

Заявка на конкурс представляется не позднее 17 часов 00 минут (по московскому времени) 15 февраля 2024 года в виде электронного документа через Информационно-аналитическую систему РНФ по адресу https://grant.rscf.ru.

Результаты конкурса утверждаются правлением РНФ в срок по 1 апреля 2024 года и размещаются на сайте РНФ в сети «Интернет».

Полная информация о конкурсе и требования к участникам размещены на официальном сайте РНФ в разделе «Конкурсы» (конкурс № 3019):

• Извещение, №3019
• Конкурсная документация, №3019